英飛凌模塊按封裝工藝分類

日期：2025-02-03 13:57

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摘要：

IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現了很多新技術，如燒結取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。

隨著IGBT芯片技術的不斷發(fā)展，芯片的*高工作結溫與功率密度不斷提高， IGBT模塊技術也要與之相適應。未來IGBT模塊技術將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進。模塊技術發(fā)展趨勢：

無焊接、無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術；

內部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅動電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。

英飛凌模塊從結構上講，IGBT主要有三個發(fā)展方向：

1）IGBT縱向結構：非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場截止型；

2）IGBT柵極結構：平面柵機構、Trench溝槽型結構；

3）硅片加工工藝：外延生長技術、區(qū)熔硅單晶；

其發(fā)展趨勢是：①降低損耗 ②降低生產成本

總功耗＝通態(tài)損耗 (與飽和電壓 VCEsat有關)+開關損耗 (Eoff Eon)。同一代技術中通態(tài)損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。

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